獨立研發(fā),青禾晶元即將發(fā)布全球首臺混合鍵合設備
全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶,開啟第四代半導體氧化鎵新時代
全球領(lǐng)先的半導體設備供應商應用材料公司透露,受到中美芯片禁令影響,迫使該公司對部分中國大陸客戶停止設備維修服務。
碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)域的全球引領(lǐng)者 Wolfspeed(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)于近日發(fā)布了全新的第 4 代(Gen 4)技術(shù)平
2024年公司銷售收入為80.3億美元,同比增長27%,毛利率為18%。
美國 SIA 半導體行業(yè)協(xié)會當?shù)貢r間昨日公布了由世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織 WSTS 編制的新一期全球半導體銷售數(shù)據(jù)。根據(jù)這份數(shù)據(jù),202
2月7日,Counterpoint Research最新報告指出,全球晶圓代工行業(yè)在2024年以22%的年增長率收官,標志著行業(yè)在2023年后進入強勁復蘇
根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)Gartner的數(shù)據(jù),全球半導體收入預計將在2025年增長12.6%,達到7050億美元。市場分析師表示,這將由人工智能需求
2028 年全球移動終端射頻前端市場將達到 269 億美元,年均增長率約為 5.8%。
第8.6代金屬掩膜版生產(chǎn)線項目在黃石經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)開工。
英諾賽科作為全球第三代半導體氮化鎵的領(lǐng)導者針對數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,開發(fā)了多系列分立和集成氮化鎵產(chǎn)品,能夠最大限度提升效率,減少能源浪費。
在全球氣候變化日益嚴峻的背景下,節(jié)能減排已成為國際社會共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺政策,推動能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)
大族激光與歐姆龍自動化在大族激光全球智造中心正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
市調(diào)機構(gòu)Counterpoint research發(fā)布2024年第三季度的數(shù)據(jù)調(diào)研,公布了該季度半導體營收、代工廠市場份額及智能手機應用處理器(AP)的市場份額排名。
思特威全球總部園區(qū)項目封頂儀式在浦東新區(qū)隆重舉行
進入第四季度以來,福建晶旭半導體科技有限公司二期項目基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目正開足馬力,搶抓施工
雅克先科電子材料項目點火儀式暨全球合作供應鏈大會在彭州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)麗春航空動力產(chǎn)業(yè)園啟動。
今天上午9時30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導體第一股12月30日,英諾賽科
12月17日,Cree LED宣布與達科(Daktronics)簽署一項為期多年的全球?qū)@S可協(xié)議,該協(xié)議將于2024年12月生效。Cree LED將在協(xié)議
2025年4月23-25日,九峰山論壇將在武漢光谷科技會展中心再次啟航,現(xiàn)誠摯邀請全球化合物半導體技術(shù)領(lǐng)域的專家學者、行業(yè)領(lǐng)航者及創(chuàng)新先鋒蒞臨盛會,發(fā)表精彩演講,共享智慧火花,攜手點亮化合物半導體行業(yè)的輝煌未來。
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IFWS 2022前瞻:超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件技術(shù)分會日程公布
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北京市科學技術(shù)委員會、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會關(guān)于印發(fā) 《北京市技術(shù)轉(zhuǎn)移機構(gòu)及技術(shù)經(jīng)理人登記辦法》的通知
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財政部 稅務總局 科技部關(guān)于加大支持科技創(chuàng)新稅前扣除力度的公告
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北京:發(fā)布<2023年北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金實施指南>的通知(征求意見稿)》公開征集意見的通知
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《順義區(qū)促進高端制造業(yè)和先進軟件信息業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的扶持辦法》重磅發(fā)布
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順義區(qū)創(chuàng)業(yè)搖籃計劃支持政策實施辦法
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北京新政:加快推進北京專精特新專板建設,推動更多優(yōu)質(zhì)項目落地