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美國東部時(shí)間4月11日晚10點(diǎn)36分，美國海關(guān)與邊境保護(hù)局（CBP）發(fā)布了關(guān)于互惠關(guān)稅豁免的更新指南。其中列出了一系列特定HTSUS代

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，英飛凌科技股份有限公司申請一項(xiàng)名為功率半導(dǎo)體器件和制造功率半導(dǎo)體器件的方法的專利，公開號(hào) CN 1197

核心裝備的技術(shù)進(jìn)步與創(chuàng)新是推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要底座，隨著行業(yè)對于高性能、高可靠性的化合物半導(dǎo)體器件需求日益增長，化合物半導(dǎo)體核心裝備平行論壇將圍繞化合物半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵裝備，探討其最新技術(shù)進(jìn)展、應(yīng)用挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。

2025年5月22-24日 ，2025中國功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議 （CSPSD 2025)將于南京召開！

西安產(chǎn)業(yè)投資基金近日宣布，西投控股對龍騰半導(dǎo)體股份有限公司進(jìn)行追加投資，全力支持其8英寸功率半導(dǎo)體器件制造項(xiàng)目二期晶圓產(chǎn)線的建設(shè)進(jìn)程。

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司取得一項(xiàng)名為半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的元胞結(jié)構(gòu)及掩模板的專利，授權(quán)公告號(hào)

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項(xiàng)名為寬禁帶半導(dǎo)體器件的專利，公開號(hào) CN 119170634 A，申請日期為202

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為碳化硅襯底及其制備方法、半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備的專利，公開號(hào) CN 119153

2025年4月23-25日，九峰山論壇將在武漢光谷科技會(huì)展中心再次啟航！

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司申請一項(xiàng)名為半導(dǎo)體器件的處理方法及半導(dǎo)體器件的專利，公開號(hào)CN 118888436

富特科技（301607）10月22日發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表，公司于2024年10月22日接受2家機(jī)構(gòu)調(diào)研，機(jī)構(gòu)類型為其他。 投資者關(guān)系活動(dòng)

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，格蘭菲智能科技股份有限公司申請一項(xiàng)名為功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法的專利，公開號(hào) CN 118748202

中科院金屬研究所的信息顯示，在山西大學(xué)韓拯教授領(lǐng)銜下，中國科學(xué)院金屬研究所李秀艷研究員、遼寧材料實(shí)驗(yàn)室王漢文副研究員、中

4月26-28日，2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2024）將于成都召開。會(huì)議在電子科技大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略

27位演講嘉賓公布！2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議4月26-28日成都見！

功率半導(dǎo)體器件與集成電路是電能轉(zhuǎn)換與控制的核心，主要用于電子系統(tǒng)中電能的變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等。功率半導(dǎo)

香港科技大學(xué)（HKUST）的研究人員開發(fā)了一種新的集成技術(shù)，用于高效集成III-V族化合物半導(dǎo)體器件和硅，為低成本、大容量、高速度

2024年1月16日消息，據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，華為技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為構(gòu)件、晶體管器件、功率器件及制造構(gòu)件的方法，公開號(hào)C

據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)申請一項(xiàng)名為一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用，公開號(hào)CN117293183A，申請日期為2023年9月

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前