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江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司近日完成了新廠房的整體搬遷

株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司發(fā)生工商變更，新增國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司

中科飛測(cè)擬投資14.81億元用于高端半導(dǎo)體項(xiàng)目

賽微電子（SZ 300456）12月6日午間發(fā)布公告，為避免相關(guān)信息對(duì)廣大投資者造成誤導(dǎo)，現(xiàn)予以澄清說(shuō)明。

2025年4月23-25日，九峰山論壇將在武漢光谷科技會(huì)展中心再次啟航，現(xiàn)誠(chéng)摯邀請(qǐng)全球化合物半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的專家學(xué)者、行業(yè)領(lǐng)航者及創(chuàng)新先鋒蒞臨盛會(huì)，發(fā)表精彩演講，共享智慧火花，攜手點(diǎn)亮化合物半導(dǎo)體行業(yè)的輝煌未來(lái)。

期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) I”分會(huì)上，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報(bào)告，討論超寬帶隙半導(dǎo)體的研究狀況和主要問題，分享了實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)近來(lái)在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。

清華大學(xué)羅毅院士課題組與安徽格恩半導(dǎo)體有限公司合作，通過(guò)深入研究GaN同質(zhì)外延過(guò)程中的位錯(cuò)控制、InGan/GaN多量子阱的應(yīng)力調(diào)控以及腔面鍍膜技術(shù)，制備了高效的GaN藍(lán)光激光二極管。

“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”上，嘉賓們齊聚共同探討第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)相關(guān)的最新進(jìn)展。

期間，“碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會(huì)上，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備”的主題報(bào)告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設(shè)計(jì)優(yōu)化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結(jié)果等內(nèi)容。

荷蘭半導(dǎo)體企業(yè)恩智浦 NXP 與臺(tái)灣地區(qū)特殊制程代工廠商世界先進(jìn) VIS 雙方合資（股權(quán)比例為 4:6）公司 VSMC 今日在新加坡淡濱尼舉行其首座晶圓廠的動(dòng)土典禮。

一名三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導(dǎo)體核心技術(shù)人才，加上向中國(guó)公司泄漏20納米DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)，遭逮捕并移送檢方。

“化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用”分會(huì)上，嘉賓們齊聚，共同探討化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展與趨勢(shì)。

受外部客觀因素影響，公司合肥項(xiàng)目已停止推進(jìn)。

功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)解決方案創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者「忱芯科技（UniSiC）」近日宣布完成2億元戰(zhàn)略融資

12月3日，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)通信企業(yè)協(xié)會(huì)、，中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)協(xié)會(huì)等多個(gè)行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布聲明：美國(guó)芯片產(chǎn)品不再安全、不再可靠，中國(guó)相關(guān)行業(yè)將不得不謹(jǐn)慎采購(gòu)美國(guó)芯片。

商務(wù)部新聞發(fā)言人2日表示，中方注意到，美方發(fā)布了對(duì)華半導(dǎo)體出口管制措施。該措施進(jìn)一步加嚴(yán)對(duì)半導(dǎo)體制造設(shè)備、存儲(chǔ)芯片等物項(xiàng)

中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（CSE2025）將于2025年4月在武漢再次啟幕

加入頂流，成為頂流——化合物半導(dǎo)體產(chǎn)/學(xué)/研/用各大領(lǐng)域邀請(qǐng)報(bào)告征集和邀約正式啟動(dòng)！

在第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇重要產(chǎn)業(yè)峰會(huì)上，眾多專家學(xué)者齊聚探討Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最新趨勢(shì)。

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)”上，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索”的主題報(bào)告，分享了國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的新模式，包括硬件建設(shè)、軟件建設(shè)、開發(fā)體系、技術(shù)路線等。