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化合物半導(dǎo)體已成為許多行業(yè)謀求變革的關(guān)鍵，在許多應(yīng)用領(lǐng)域都展現(xiàn)出了巨大的潛力，未來10年將對國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的重塑產(chǎn)生至

2023年，我們企業(yè)銷售額同比增長2.2倍，納稅額同比增長1.8倍，銷售額和納稅額均連續(xù)三年成倍增長。北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)（北京亦莊

2023年是半導(dǎo)體市場承壓和庫存整理的年份，但其中也有明顯逆勢而上的產(chǎn)業(yè)——碳化硅（SiC）市場。

香港科技大學(xué)（HKUST）的研究人員開發(fā)了一種新的集成技術(shù)，用于高效集成III-V族化合物半導(dǎo)體器件和硅，為低成本、大容量、高速度

進(jìn)入21世紀(jì)以來，以氮化鎵、碳化硅、氧化鎵、金剛石為四大代表的第三代半導(dǎo)體材料開始初露頭角。

近日，清純半導(dǎo)體正式推出1200V/3.5 mΩ的SiC MOSFET芯片（型號(hào)：SG2MA35120B）及對應(yīng)SOT227封裝器件（型號(hào)：S1P04R120SSE

2023年，外部形勢復(fù)雜多變、內(nèi)部經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇進(jìn)程緩慢曲折。在此背景下，我國半導(dǎo)體照明行業(yè)整體需求仍然疲軟，庫存高位、產(chǎn)能利用率

據(jù)晶能光電官微消息，近日，江西省市場監(jiān)督管理局批復(fù)同意由晶能光電牽頭籌建江西省技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)創(chuàng)新基地（硅襯底半導(dǎo)體照明），這是

存儲(chǔ)行業(yè)，會(huì)是2024年半導(dǎo)體全行業(yè)價(jià)值飆升的關(guān)鍵。

據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作重點(diǎn)專項(xiàng)基于第三代

證監(jiān)會(huì)批復(fù)同意燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司首次公開發(fā)行股票的注冊申請。

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所（以下簡稱寧波材料所）張文瑞研究員、郭煒研究員長期招聘博士后，招聘方向?yàn)檠趸铩⒌?/p>

2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（簡稱“JFSC＆CSE”）將于4月9-11日在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。

據(jù)丹陽延陵鎮(zhèn)官微消息：1月18日，延陵鎮(zhèn)黨委書記張金偉會(huì)見了浙江博藍(lán)特半導(dǎo)體科技股份有限公司徐良董事長以及松樹基金投資經(jīng)理

2024年1月16日消息，據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，華為技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為構(gòu)件、晶體管器件、功率器件及制造構(gòu)件的方法，公開號(hào)C

15日上午，探尋智慧之芯共創(chuàng)未來之夢誠盛科技麒思大功率器件項(xiàng)目發(fā)布會(huì)暨功率半導(dǎo)體高峰論壇舉行。

今日，意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，

通過一種低成本、易操作的熱退火方法，實(shí)現(xiàn)了對PECVD法生長的Ga2O3薄膜的表面調(diào)控，并基于能帶調(diào)控理論，探索了這種熱重組工程對基于Ga2O3的MSM型電光探測器性能的具體影響，提出了可實(shí)現(xiàn)的表面改性方法，涉及寬帶隙半導(dǎo)體Ga2O3的表面物理與光電物理的融合。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：1月17日，高性能半導(dǎo)體材料科研成果轉(zhuǎn)化框架協(xié)議簽約儀式在青島天安科創(chuàng)城舉行。儀式上，青島大商電子有限公

位于科技大廈西展廳，700多平方米的河北科技創(chuàng)新展示服務(wù)大廳中，展示著我省百余件最新科技成果，這些展品創(chuàng)新點(diǎn)在哪兒、應(yīng)用場