韓國政府已提前啟動龍仁半導體國家工業園區的建設，該項目預計將于 2026 年 12 月開工
國家市場監督管理總局重點實驗室（車規芯片測試與評價）獲批建設。
國家知識產權局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項名為寬禁帶半導體器件的專利，公開號 CN 119170634 A，申請日期為202
國家知識產權局信息顯示，華為技術有限公司申請一項名為碳化硅襯底及其制備方法、半導體器件、電子設備的專利，公開號 CN 119153
國家知識產權局信息顯示，萬國半導體國際有限合伙公司申請一項名為用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管的專利，公開號 CN
國家知識產權局信息顯示，廣東中圖半導體科技股份有限公司申請一項名為一種高一致性圖形化襯底的制備方法、圖形化襯底和LED外延
國家知識產權局信息顯示，上海積塔半導體有限公司申請一項名為檢測晶圓位置的方法、晶圓環切方法及晶圓環切裝置的專利，公開號 C
國家知識產權局信息顯示，浙江睿熙科技有限公司申請一項名為VCSEL 集成晶圓及其制造方法的專利，公開號 CN 119134035 A，申請日
關于印發《標準提升引領原材料工業優化升級行動方案（2025—2027年）》的通知
格力電器董事長董明珠在《珍知酌見》 欄目里與新浪財經CEO鄧慶旭對話時透露，格力電器在芯片研發領域取得重大突破。
科技部黨組書記、部長陰和俊主持召開黨組會，傳達學習中央經濟工作會議精神，研究部署貫徹落實工作。
國家市場監督管理總局依法對英偉達開展立案調查。
株洲中車時代半導體有限公司發生工商變更，新增國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心王新強教授與北京大學電子顯微鏡實驗室王濤高級工程師探測到褶皺二維氮化鎵（GaN）的聲子行為。
“氮化鎵射頻電子器件與應用分會”上，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導體的技術創新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創新中心FLAB三代特色半導體工藝技術創新的新模式，包括硬件建設、軟件建設、開發體系、技術路線等。
半導體行業作為高新技術的代表，得到了國家政策的大力支持和各地政府的積極投資。
商務部印發《支持蘇州工業園區深化開放創新綜合試驗的若干措施》。
“氮化鎵射頻電子器件與應用”技術分會上，香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創始人俞捷，小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師孫躍，中國科學技術大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創始人左成杰，西安電子科技大學教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導體有限公司研發總監張新川，中國科學院半導體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學集成電路學院博士劉濤，中國科學院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告
匯芯通信/國家5G中高頻器件創新中心誠邀產業同仁共聚論壇，蒞臨 B27號展位參觀交流、洽談合作。
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室許福軍、沈波團隊創新