北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室許福軍、沈波團隊創新
西安電子科技大學副校長、教授張進成將出席論壇，并將帶來《高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展》的大會報告。
北京大學教授、理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任沈波將出席論壇，并將帶來《基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件》的大會報告，敬請期待！
IFWS的重要分會之一的“超寬禁帶半導體技術分會I”最新報告日程正式出爐。分會將于11月20日在蘇州國際博覽中心G館 ? G106召開，誠摯邀請業界同仁同聚！
研究背景-Ga?O? 作為新興超寬禁帶半導體材料，具有約 4.9 eV 的準直接帶隙，其光響應峰值正好落在日盲紫外波段，是制備日盲紫
2024年6月21至23日，“新一代半導體晶體技術及應用大會”將在山東濟南召開，北京大學教授、理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任沈波受邀將出席會議，并帶來《AlN單晶襯底和外延薄膜的制備》的大會主旨報告
中國科學院寧波材料技術與工程研究所（以下簡稱寧波材料所）張文瑞研究員、郭煒研究員長期招聘博士后，招聘方向為氧化物、氮化物
寬禁帶半導體技術快速崛起，未來10年將對國際半導體產業格局重塑產生至關重要的影響。寬禁帶半導體是全球高技術競爭的關鍵領域之
隨著高性能、高功率、高頻率等需求的不斷擴展以及技術的不斷提升，超寬禁帶半導體呈現出越來越明顯的應用優勢，在多個領域都具有
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體具有諸多優勢，碳化硅電力電子器件優異的高效、高壓、高溫和高頻特性，使其在家用電器、電機節
以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩定性、擊穿場強等優勢，是國際半導體領域的研究熱點。其中，氧
氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體材料廣泛用于信息化社會、人工智能、萬物互聯、現代農業、現代醫療、智能交通、國防
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，有著顯著的
4月8日，2023特色工藝半導體產業發展常州峰會舉行。會上，寬禁帶半導體國家工程研究中心常州分中心揭牌，龍城芯谷項目啟動。常州
核心提示：半導體產業網訊：近日，武漢大學工業科學研究院袁超課題組在國際權威期刊《Journal of Applied Physics》上，以A review of ther
近日，廈門大學康俊勇教授團隊采用鐵電柵控方法，首次實現了對單層和雙層WS2的非易失性能谷調控，并在室溫下獲得了較高的谷極化
半導體產業網訊 近日，西安交大電子學院先進光電所云峰教授團隊在六方氮化硼薄膜大面積制備及剝離方面取得了重要進展。該成果以
作為新型的寬禁帶半導體材料，氧化鎵（Ga2O3）由于自身的優異性能，憑借其比第三代半導體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測、高頻功率器件等領域吸引了越來越多的關注和研究。
南沙通過強化招商引資工作，率先搶占產業發展制高點，引進培育了芯粵能、芯聚能、晶科電子、聯晶智能、南沙晶圓、先導半導體高端設備等一批行業龍頭企業，已初步形成覆蓋半導體和集成電路設計、制造、封裝測試、設備材料等全產業鏈環節。
近日，南方科技大學深港微電子學院教授于洪宇課題組和助理教授李攜曦課題組在寬禁帶半導體功率器件領域取得系列進展，