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納微半導體今日宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過AEC-Q100和AEC-Q101兩項車規(guī)認證，這標志著氮化鎵技術在電動汽車市

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學分析方法 痕量雜質元素含量的測定 輝光放電質譜法》標準解讀國標（北京）檢驗認證有限公司劉紅一、

英諾賽科(02577.HK)公告，公司發(fā)布了自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，該款產(chǎn)品憑藉寬禁帶特性，在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，江西譽鴻錦材料科技有限公司取得一項名為種亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法的專利，授權

服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，鎵特半導體科技（銅陵）有限公司取得一項名為一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應器的專利，授權公告號CN

氮化鎵（GaN）正在重塑半導體行業(yè)游戲規(guī)則。近日，九峰山實驗室已從材料、器件到產(chǎn)業(yè)應用取得一系列突破性成果。九峰山實驗室8英

近日，九峰山實驗室科研團隊在全球首次實現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。該成果將助力射頻前

九峰山實驗室GaN系列成果首次重磅發(fā)布！在顛覆性材料、器件及設計創(chuàng)新、系統(tǒng)級應用創(chuàng)新方面，重磅發(fā)布國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）、全國首個100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺、動態(tài)遠距離無人終端無線能量傳輸完成示范驗證。

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為一種氮化鎵基化合物半導體激光器的專利，公開號CN 119627617 A，申

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，廣東芯賽威科技有限公司取得一項名為電源管理芯片及電源管理電路的專利，授權公告號 CN 222563696 U，

3月10日，上海新微半導體有限公司（簡稱新微半導體）正式推出650V硅基氮化鎵增強型（E-mode）功率工藝代工平臺。該平臺憑借高頻

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，廣東芯賽威科技有限公司取得一項名為電源管理芯片及電源管理電路的專利，授權公告號 CN 222563696 U，

近日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶召開。期間，“分論壇二：氮化鎵及其他功率半導體技術及應用“上，浙江大學教授、杭州鎵仁半導體有限公司董事長張輝，帶來了“大尺寸高質量氧化鎵單晶材料進展”主題報告。

2月28日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”，分論壇二：氮化鎵及其他功率半導體技術及應用”，圍繞氮化鎵、氧化鎵功率半導體技術及應用，氮化鎵、金剛石功率半導體技術及應用，氮化鎵、氧化鎵及金剛石功率半導體制造關鍵技術及裝備等熱點主題與方向深入分享探討。

近日，浙江大學集成電路學院柯徐剛研究員團隊，提出了一款工業(yè)級可量產(chǎn)、應用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的基于第三代半導體氮化鎵的高效

2025年2月24日，按照第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過1項硅襯底

2月26-28日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。華南師范大學研究員王幸福受邀將出席論壇，并帶來《壓電電子學調控氮化鎵異質結電子氣及HEMT器件特性》的主題報告，敬請關注！

2月26-28日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。杭州云鎵半導體科技有限公司器件研發(fā)經(jīng)理李茂林受邀將出席論壇，并帶來《氮化鎵功率器件與工業(yè)級應用前景》的主題報告，敬請關注！

香港科技大學電子與計算機工程系陳敬教授課題組，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上報告了多項基于寬禁帶半導體氮化鎵，碳化硅的最新研究進展。研究成果覆蓋功率器件技術和新型器件技術.