遠山半導體提供的DFN封裝形式的Gan HEMT器件實現了1200V高耐壓，并且展現出了極低的界面電容和優良的熱阻 ，極快的開關速度，同時克服了氮化鎵器件容易發生的電流崩塌問題。測試結果顯示各項性能指標均達到行業領先水平，意味著其產品在性能、質量和可靠性方面具備優勢，有更強的市場競爭力。
10月24日，德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已開始生產基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體。隨著會津工廠的投產，加上德州
遠山半導體最近發布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進半導體實驗室進行了詳盡的測試
當地時間9月11日，英飛凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功開發出全球首款300毫米功率氮化鎵（GaN）晶圓技術，并率先在
據報道，7月30日，香港科技園公司與麻省光子技術(香港)有限公司簽署合作協議，將于香港科學園內設立全香港首個第三代半導體氮化
2024年7月25日，由浙江大學、浙江大學杭州國際科創中心牽頭起草的團體標準T/CASAS 34202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子
近日，西安電子科技大學廣州研究院第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授課題組李祥東團隊在藍寶石基增強型e-GaN（氮化鎵）
天眼查顯示，大連理工大學氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應用專利公布，申請公布日為2024年3月26日，申請公布號為CN117761126A
進入21世紀以來，以氮化鎵、碳化硅、氧化鎵、金剛石為四大代表的第三代半導體材料開始初露頭角。
深圳大學材料學院劉新科課題組成功在氮化鎵單晶襯底上外延了具有p型導電特性的高質量連續的MoxRe1-xS2薄膜，制備了一個完全垂直的p-2D/GaN異質光電二極管。器件具有突出的光開關比（> 106）和極高的光探測率（6.13×1014），實現了紫外到可見、近紅外區域的寬光譜檢測。
這個問題促使香港科技大學和中國其他三所機構的16名研究人員組成的團隊不斷思考。經過多年努力，他們終于成功制造出一種晶體管，他們稱之為混合場效應晶體管（HyFET）。
GaN技術正處于一個充滿機遇的階段，其發展前景十分廣闊。盡管相較于硅或GaAs，GaN仍是一項相對年輕的技術，但其進步速度之快令人
太原理工大學周兵課題組和武漢大學袁超課題組合作，先后在國際權威期刊《Materials Characterization》和《Diamond & Related Materials》上，發表研究論文。
據中國科學院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項
近日，蘇州中科重儀半導體材料有限公司（以下簡稱中科重儀）自主研發的應用于電力電子領域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延
2023年11月28日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維Ga
得益于高功率、高頻率和高溫環境下的眾多卓越性能，氮化鎵功率電子器件技術在具有廣闊的發展前景。技術發展具有持續的創新和應用
半導體產業網獲悉：11月9日，廣東致能科技有限公司（以下簡稱致能科技）完成首個1200V D-Mode高可靠性氮化鎵平臺。在滿足1200V系
半導體產業網 2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學家峰會上隆重發布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應用