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氮化鎵射頻器件具有高功率、高效率、高可靠性等特點。已經(jīng)證明在雷達(dá)、衛(wèi)星、通信基站等領(lǐng)域具有非常大的優(yōu)勢，隨著5G通信、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用的發(fā)展，氮化鎵射頻器件市場需求不斷增長，前景廣闊。
2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
論壇融合聚集產(chǎn)、學(xué)、研、用、政、金多個層面的資源，將邀請最具代表性的行業(yè)專家、企業(yè)家?guī)碜钋把刳厔莸姆窒硖接?。除了重量級開幕大會，設(shè)有五大熱點主題技術(shù)分會，以及多場產(chǎn)業(yè)峰會和先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展，全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進(jìn)展。?
目前，作為IFWS的重要分會之一的“?氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報告日程正式出爐，本屆分會得到了深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 /國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心的協(xié)辦支持。?中國電子科技集團(tuán)第五十八所所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總裁張乃千、江南大學(xué)教授/寧波錸微半導(dǎo)體總經(jīng)理敖金平將共同主持分會。
屆時，將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室主任、教授、高武半導(dǎo)體（香港）有限公司創(chuàng)始人俞捷，小米通訊技術(shù)有限公司高級硬件研發(fā)工程師孫躍，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 /國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心張?zhí)斐?，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁裴軼，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學(xué)集成電路學(xué)院副教授李楊，中國科學(xué)院微電子研究所張國祥等多位科研院校知名專家及實力派企業(yè)代表共同參與，將圍繞氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用發(fā)展分享主題報告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)的前沿發(fā)展趨勢及最新動向，敬請關(guān)注！?
分會日程詳情如下：
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技術(shù)分會：氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用 Technical Sub-Forum：RF Electronic Devices |
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時間：2024年11月21日08:30-12:00 地點：蘇州國際博覽中心G館 ? G107 Time: Nov 21, 08:30-12:00 Location:?Suzhou International Expo Centre ? G107 |
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協(xié)辦單位： 深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 /國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心 |
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主持人??????????蔡樹軍-中國電子科技集團(tuán)第五十八所所長 張乃千-蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總裁 Moderator?????敖金平-江南大學(xué)教授，寧波錸微半導(dǎo)體總經(jīng)理 |
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08:25-08:30 |
嘉賓致辭 & 合影 /?Opening?Address?& Group Photo?Shooting |
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09:00-09:20 |
面向未來數(shù)據(jù)中心和6G網(wǎng)絡(luò)的下一代高端生態(tài)半導(dǎo)體 Next-Gen High-End Eco-Semiconductors for Tomorrow’s Data Centers and 6G Networks 俞?捷——香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室主任、教授、高武半導(dǎo)體（香港）有限公司創(chuàng)始人 Patrick Yue——Professor, ECE Department,HKUST? Director, HKUST-Qualcomm Optical Wireless Lab (OWL) Founder of High5 Semiconductor (Hong Kong) Ltd. |
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09:20-09:40 |
移動終端射頻功放應(yīng)用問題探討 Discussion on RF Power Amplifiers for Handset Applications 孫躍——小米通訊技術(shù)有限公司高級硬件研發(fā)工程師 SUN Yue——Senior Hardware Engineer?of?Xiaomi Communications Co., Ltd， |
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09:40-10:00 |
同質(zhì)外延氮化鎵射頻電子器件研究進(jìn)展 薛軍帥——西安電子科技大學(xué)教授 XUE Junshuai——Professor Xidian University |
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10:00-10:20 |
FLAB：特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索 張?zhí)斐健钲谑袇R芯通信技術(shù)有限公司 /國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心研究員 ZHANG Tianchen ?? |
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10:20-10:35 |
茶歇?/ Coffee Break |
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10:35-10:55 |
面向6G和Wi-Fi 7 的高頻和寬帶射頻濾波器 High-Frequency and Wideband RF Filters for 6G and Wi-Fi 7 左成杰——中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人 ZUO Chengjie——Professor of School of Microelectronics at University of Science and Technology of China |
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10:55-11:15 |
先進(jìn)射頻氮化鎵制造中心支持DC-40GHz MMIC代工 Advanced?GaN?RF Manufacturing Center supports DC-40GHz MMIC foundry 裴軼——蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁 PEI Yi ?Vice president of ?Dynax Semi-conductor Inc |
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? 11:15-11:30 |
fT/fmax=10.4/7.1GHz 的藍(lán)寶石上AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors?On Sapphire With record fT/fmax=10.4/7.1GHz 張連——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員 ZHANG Lian——Associate Professor of Institute of Semiconductor, CAS |
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11:30-11:45 |
3-20 GHz碳化硅基氮化鎵超寬帶威爾金森功分器 3-20 GHz Ultra-wideband Wilkinson Power DividerCombiner Using GaN on SiC 熊?鑫——九峰山實驗室 XIONG Xin ?JFS Laboratory |
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11:45-12:00 |
基于氮化鎵肖特基二極管的微波無線能量收集 Recent progress on GaN Schottky barrier diode based microwave energy harvesting 李 楊——江南大學(xué)集成電路學(xué)院副教授 LI Yang , Associate Professor, School of Integrated Circuits, Jiangnan University |
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12:00-12:15 |
基于GaN SBD技術(shù)的具有快速恢復(fù)性能的大功率微波限幅器High power microwave limiter with fast recovery performance based on GaN SBD technology 張國祥——中國科學(xué)院微電子研究所 ZHANG Guoxiang ?Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences |
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