以AlGaN材料為基礎的固態(tài)紫外（UV）光源，是氮化物光電子發(fā)展的重要方向和熱點領域，以紫外發(fā)光二極管（UV-LED）為代表，AlGaN基固態(tài)紫外光源在紫外固化、生物醫(yī)療、以及殺菌消毒等方面具有重要價值。

2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導體技術應用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。?本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

除了重量級開幕大會，論壇設有五大熱點主題技術分會，以及多場產(chǎn)業(yè)峰會和先進半導體技術應用創(chuàng)新展，全面聚焦半導體照明及第三代半導體熱門領域技術前沿及應用進展。目前，“氮化物半導體固態(tài)紫外技術及應用分會”最新報告日程正式出爐。組委會特邀請廈門大學特聘教授康俊勇、中國科學院寬禁帶半導體研發(fā)中心主任、研究員王軍喜共同主持分會。

屆時，將有日本三重大學教授三宅秀人，南京大學電子科學與工程學院教授陸海，中國科學院半導體研究所研究員閆建昌，廈門大學副教授尹君，北京大學物理學院長江特聘教授許福軍，中國科學技術大學教授孫海定，南京大學助理教授蔡青，麻省光子技術（香港）有限公司研究科學家Muhammad Shafa，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF，中國科學院半導體研究所吳涵等多位來自國內(nèi)外科研院校知名專家及實力派企業(yè)代表參與，共同探討氮化物半導體固態(tài)紫外技術及應用的前沿發(fā)展趨勢及最新動向，敬請關注！?

部分嘉賓簡介

陸海

南京大學電子科學與工程學院教授

陸海，南京大學教授，博士生導師，國家杰出青年科學基金獲得者，國家重點研發(fā)計劃項目首席科學家。主要從事寬禁帶半導體材料和器件研究，取得了多項有國際影響力的成果：制備了世界上電學特性最好的InN單晶薄膜（保持6年世界紀錄），首先生長出p型、a面及立方相等新型InN材料，為三十余家國際權(quán)威研究機構(gòu)提供了標準InN及富In氮化物樣品；聯(lián)合改寫和修正了多項III族氮化物半導體材料體系的基本參數(shù)，包括InN 0.7eV窄禁帶寬度的重大發(fā)現(xiàn)，藉此將Ⅲ族氮化物半導體的應用領域推廣到近紅外光學波段，大大拓寬了Ⅲ族氮化物半導體的研究與應用范疇；首先發(fā)現(xiàn)InN表面強電荷聚集效應，藉此研制出InN表面化學傳感器、InN THz發(fā)射源，獲《Nature》雜志專文報道；聯(lián)合提出InGaN全光譜多異質(zhì)結(jié)太陽能電池的概念和結(jié)構(gòu)。

近年來重點開展GaN基高功率電子器件、深紫外探測器件、及新型氧化物透明薄膜晶體管研究，致力于將半導體基礎研究成果推廣到器件應用領域：通過發(fā)展GaN同質(zhì)外延生長技術，大幅度提高了GaN半導體的晶體質(zhì)量，藉此研制出高擊穿電壓GaN肖特基整流器、及高增益GaN紫外雪崩光電探測器，多次獲得國際主流半導體技術媒體跟蹤報道；兩次刷新GaN基霍爾傳感器最高穩(wěn)定工作溫度的世界紀錄；研制出現(xiàn)有暗電流密度最低和芯片尺寸最大的AlGaN基日盲深紫外探測器，并帶領南京大學團隊在國內(nèi)首先實現(xiàn)了高靈敏度GaN基紫外探測器的產(chǎn)業(yè)化；在國內(nèi)首先實現(xiàn)SiC紫外單光子探測器；研究和澄清了GaN基功率器件和發(fā)光二極管的幾個基礎器件物理問題，發(fā)展了多種新型的器件測試表征方法。迄今已發(fā)表學術論文三百余篇，其中包括SCI論文230余篇；所發(fā)表文章獲SCI他人引用10000余篇次（截止到2015年12月）；其代表工作被國外同行在綜述文章上稱為“Major breakthrough (重大突破)”；已獲得13項中國發(fā)明專利和1項美國發(fā)明專利授權(quán)；入選科技部創(chuàng)新人才推進計劃、教育部新世紀人才計劃、江蘇省333人才培養(yǎng)計劃；曾獲江蘇省五四青年獎章（2013）、江蘇省十大青年科技之星（2014）、教育部技術發(fā)明一等獎（2015）、國家技術發(fā)明二等獎（2016）。

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閆建昌

中國科學院半導體研究所研究員

閆建昌，中科潞安紫外光電科技有限公司總經(jīng)理，中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師，國家自然科學基金優(yōu)秀青年基金獲得者，CASA第三代半導體卓越創(chuàng)新青年，中國科學院青年創(chuàng)新促進會優(yōu)秀會員，山西省“三晉英才”支持計劃高端領軍人才，北京市科技新星計劃入選者，中國光學工程學會高級會員。清華大學電子工程系學士學位，中科院半導體所博士，法國巴黎第十一大學訪問學者。長期從事氮化物半導體材料和器件研究，尤其專注于氮化鎵半導體紫外發(fā)光二極管（UV LED）領域十余年，負責國家863計劃、自然科學基金、重點研發(fā)計劃等多項國家級科研項目，取得了具有國際影響力的研究成果。獲北京市科學技術獎一等獎、國家科學技術進步獎二等獎、金磚國家青年創(chuàng)新獎二等獎。

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尹君

廈門大學副教授

尹君，工學博士，主要研究方向為能源轉(zhuǎn)換相關的光電子材料與相關器件，涉及微米納米結(jié)構(gòu)制備及在半導體材料光電行為操控上的應用、新型生物及光電傳感器制備、高效全固態(tài)鈣鈦礦太陽能電池研發(fā)等，近年來已在J. Mater. Chem. A、Nanoscale、Adv. Opt. Mater.,ACS Appl. Mater. Interfaces等期刊發(fā)表高水平論文多篇。目前已主持國家自然科學基金青年基金項目、中國博士后科學基金面上項目，福建省自然科學基金面上項目，江西省自然科學基金重點項目等多項科研課題，并參與國家自然科學基金面上項目、國家重點研發(fā)計劃項目、福建省科技計劃項目及廈門市科技項目等多項。

許福軍

北京大學物理學院長江特聘教授

許福軍，主要研究領域為寬禁帶半導體材料和器件物理。近年來主要開展AlGaN 基深紫外發(fā)光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低維量子結(jié)構(gòu)外延生長、缺陷控制和AlGaN的電導率調(diào)控等方面開展了較系統(tǒng)的研究工作，在高質(zhì)量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高載流子濃度p型AlGaN方面均達到國際先進水平，并在團隊支撐下突破了高性能深紫外發(fā)光二極管（LED）器件研制的關鍵技術，正推動科研成果落地付諸產(chǎn)業(yè)化實踐。

近年來，作為負責人承擔國家自然科學面上基金3項；作為子課題負責人參與國家重點研發(fā)計劃項目1項、北京市科委重點項目1項，山東省重點研發(fā)計劃項目1項和廣東省重點研發(fā)計劃項目1項。迄今以一作/通訊作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共發(fā)表SCI 收錄論文30多篇，獲得/申請國家發(fā)明專利10多件。

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孫海定

中國科學技術大學教授

孫海定，現(xiàn)任中國科大微電子學院特任教授，博士生導師，iGaN Laboratory實驗室負責人。先后入選國家優(yōu)青，省杰青，中科院海外高層次人才計劃。本科和碩士畢業(yè)于華中科技大學，師從劉勝院士。博士畢業(yè)于美國波士頓大學，師從氮化物半導體分子束外延奠基人Theodore D. Moustakas教授。長期致力于寬禁帶III族氮化物（GaN等）和III族氧化物（Ga2O3等）化合物半導體材料MOCVD和MBE外延、光電器件（LED, laser, photodetector等）和電力電子功率器件（高電子遷移率晶體管HEMTs）設計與制備研究。同時開展包括低維材料與器件（納米線，量子點），二維/三維新型半導體異質(zhì)結(jié)的材料生長、載流子輸運特性、光電集成器件與系統(tǒng)研究。

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蔡青

南京大學助理教授

蔡青，博士生導師，南京大學毓秀青年學者。分別于2015年和2020年在南京大學獲得學士學位和博士學位。研究領域為寬禁帶半導體光電材料與器件，發(fā)表SCI論文40余篇。獲中國電子學會優(yōu)秀博士學位論文、2022年度Light杰出論文獎等。主持/參與國家重點研發(fā)計劃課題、國家自然科學基金重點/面上/聯(lián)合基金等項目課題研究。長期擔任Light-Science&Applications、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters、Advanced Optical Materials等國際期刊審稿人。

三宅秀人

日本三重大學教授

Muhammad Shafa

麻省光子技術（香港）有限公司研究科學家

Muhammad Nawaz SHARIF

鄭州大學

分會詳細日程

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