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IFWS&SSLCHINA2024| 元旭半導體席光義:從芯到屏 智顯未來 開啟Micro-LED智慧顯示時代

發表于:2024-11-26 來源:半導體產業網 編輯:

Micro-LED 被視為繼LCD 和 OLED 之后的新一代革命性顯示技術。其具有自發光、高效率、低功耗、高集成、高穩定性、全天候工作的優點,被認為是最有前途的下一代新型顯示與發光器件之一。

近日,由蘇州實驗室、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)主辦的第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇(IFWS&SSLCHINA2024)在蘇州召開。

席光義1

席光義

元旭半導體科技股份有限公司董事會主席兼CEO

期間,“Mini/Micro-LED技術產業應用峰會”上,元旭半導體科技股份有限公司董事會主席兼CEO席光義做了“從芯到屏 智顯未來——開啟Micro-LED智慧顯示時代”的主題報告,分享了Micro-LED顯示技術的機遇、挑戰與創新方向。

Micro-LED是第三代半導體光電子領域中的重中之重。主要應用于消費電子領域,包括高清顯示屏/電視、AR/VR設備等。隨著技術的不斷成熟和成本的逐步下降,Micro-LED有望在更多領域得到應用。新型LED顯示產品進入商業化階段,性價比快速提升。MicroLED芯片開發對降本和性能提升意義重大。?

隨著P1.5以下產品的滲透以及Micro-LED的市場熱度,COB的市場占有率也在逐漸提高,品牌活躍度不斷提高,未來呈快速增長之勢。受技術突破、成本降低、產業鏈進步等因素的推動下,LED顯示向集成化方向發展,預計MicroLED在未來三年出現重大進步。Micro-LED關鍵技術突破后,將進入Micro-LED集成顯示時代。“性能提升+成本下降”成為產業發展驅動力。?

報告中分享了激光剝離技術、巨量轉移技術、Micro-LED燈驅一體有源驅動技術等多項技術趨勢。Micro LED顯示擁有優越的性能,但是在技術層面還有待突破,其中一項關鍵技術是外延襯底的剝離。基于GaN發光材料的Micro LED芯片,由于GaN與藍寶石晶格失配度較低且價格低廉,所以藍寶石襯底成為外延生長GaN材料的主流襯底。但是,藍寶石襯底的不導電性、差導熱性影響著Micro LED器件的發光效率;同時,脆性材料藍寶石不利于Micro LED在柔性顯示方向的運用,基于以上原因及MicroLED顯示本身分辨率高、亮度高、對比度高等優勢特點,激光剝離藍寶石是必要且關鍵的環節,且激光剝離技術更能凸顯Micro LED的優勢。激光剝離環節實質上是一個單脈沖掃描的過程,利用高能脈沖激光束穿透藍寶石基板,因此對激光束的均勻度和穩定性有極高的要求,目前全球擁有該項技術并能用于穩定生產的企業不多。?

巨量轉移技術將助MIP技術路線走向量產,巨量轉移技術是一種專門用于Micro-LED顯示技術中的關鍵步驟,旨在將大量微小的LED芯片從生長基板高效、精確地轉移到目標驅動基板上,以構建高密度、高質量的顯示陣列。巨量轉移技術的發展對Micro-LED顯示技術的商業化進程具有深遠影響。通過提高轉移效率和良率,降低生產成本,Micro-LED技術將更具市場競爭力。?

Micro-LED顯示技術有無源驅動(PM)和有源驅動(AM)兩種驅動方式。驅動方式不同,Micro-LED像素單元驅動電路的結構也不同。由于無源驅動采用掃描的方式,每一個時刻內僅有一行像素在發光,占空比較小且瞬時亮度高,存在掃描線。而采用有源驅動方式時各像素獨立可控,是未來Micro-LED技術進步的方向。在有源驅動電路中,每一個Micro-LED像素都有各自獨立的驅動電路,雙晶體管單電容2T1C電路是最基本的有源矩陣驅動電路。有源驅動方式克服了像素在掃描時存在的串擾問題,讓像素單元有更長的點亮時間,使Micro-LED顯示器擁有更高的顯示亮度。

目前,元旭半導體以自研Micro-LED顯示芯片和先進集成封裝技術作為強支撐,聚焦于新一代智慧顯示產品的設計與創新,形成從Micro-LED顯示芯片、先進集成封裝到新一代智慧顯示產品的垂直整合智造,在成本控制和產品性能特征方面實現跨越式提升。元旭半導體Micro-LED顯示面板產品廣泛應用于大型會議中心、商業顯示、XR虛擬拍攝、家庭影院等新型智慧顯示領域。?

元旭半導體持續深化"從芯到屏"的一站式產業化戰略布局,核心優勢在于半導體領域的深厚研發實力和產業鏈的全面整合,在芯片設計、微型化薄膜芯片、巨量轉移、超高精度布線、先進集成封裝等方面積累了豐富經驗,確保產品的卓越性能和穩定性。在"自主性研發+智能化生產"雙重核心能力的驅動下,元旭半導體逐步構建起從MicrO-LED顯示芯片、先進集成封裝到新一代智慧顯示產品的垂直整合智造體系,大力推動MicrO-LED產業走進商業顯示及家用領域。?

資料顯示,元旭半導體無錫研發基地面積為6000平方米,定位于研發中心&一期智能化制造中心。涵蓋芯片設計、微型化薄膜芯片、巨量轉移、超高精度布線、先進集成封裝等多項關鍵顯示技術環節。?其Micro-LED集成光電子天津超級工廠總面積為40000平方米,涵蓋2000 平方米百級凈化車間:14000平方米千級、萬級凈化車間;8000平米顯示屏校正測試、組裝車間。天津超級工廠全面集成晶圓材料、芯片設計、芯片制造、芯片封裝和測試等全產業鏈環節,重點開展第三代半導體Micro-LED集成光電子整合智造業務,年產值約達10億元。?

(根據現場資料整理,僅供參考)

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