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　　據(jù)悉，英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊(cè)資本20億元，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、材料制造、器件制備、后段高端封測(cè)以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導(dǎo)體器件制造平臺(tái)。

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　　該項(xiàng)目建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)。

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　　英諾賽科CEO孫在亨曾表示，該項(xiàng)目建成后將填補(bǔ)我國(guó)高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白。同時(shí)，該項(xiàng)目也是該領(lǐng)域全球首個(gè)大型量產(chǎn)基地，為5G移動(dòng)通信、新能源汽車(chē)、高速列車(chē)、電子信息、航空航天、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展和其他轉(zhuǎn)型升級(jí)行業(yè)核心電子元器件。