為探討進(jìn)一步推動(dòng)器件、測(cè)試、應(yīng)用等領(lǐng)域的技術(shù)融合，加快相關(guān)技術(shù)成果產(chǎn)業(yè)化，完善相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)化體系，促進(jìn)細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作交流，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)(CASAS)借第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)召開之際，組織舉辦“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”。

時(shí)間:2022年11月10日8:30-12:00

地點(diǎn):蘇州國際博覽中心G館 G108

主辦單位

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)

【部分報(bào)告嘉賓簡介】

來  萍

工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員

來萍，畢業(yè)于南京電子器件研究所，是工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員，電子學(xué)會(huì)會(huì)員，IEEE會(huì)員，廣東省信息技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)委員。承擔(dān)過十幾項(xiàng)國家級(jí)電子元件可靠性科研項(xiàng)目，在電子產(chǎn)品可靠性領(lǐng)域擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。主要技術(shù)研究方向包括電子元器件失效分析、微波器件可靠技術(shù)及應(yīng)用、集成電路靜電放電檢測(cè)與評(píng)價(jià)、電子產(chǎn)品制造過程中的靜電防護(hù)技術(shù)等。

吳新科

浙江大學(xué)教授

吳新科，浙江大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師博士；分別于2000年和2002年在哈爾濱工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院獲學(xué)士和碩士學(xué)位；2006年12月獲浙江大學(xué)電氣工程學(xué)科博士學(xué)位；2007年1月至2009年4月在浙江大學(xué)電氣學(xué)院博士后流動(dòng)站工作；2010年12月晉升為副教授，2013年批準(zhǔn)為博士生導(dǎo)師，2015年12月晉升教授。2010年11月至2012年5月在美國弗吉尼亞理工大學(xué)的電力電子系統(tǒng)中心工作和訪問，合作導(dǎo)師為美國工程院院士Fred C. Lee教授。已負(fù)責(zé)包括科技部863課題，科技支撐計(jì)劃課題，國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目和企(事)業(yè)合作研發(fā)項(xiàng)目30余項(xiàng)。至今已發(fā)表SCI/EI論文150余篇，其中第一作者/通信作者在電力電子學(xué)科國際權(quán)威期刊(IEEE Trans. Power Electron.，Trans. Ind. Electron.)論文40多篇。已獲授權(quán)美國發(fā)明專利7項(xiàng)，中國發(fā)明專利40余項(xiàng)。獲中國電源學(xué)會(huì)科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)(2013年，2015年)兩次，浙江省科學(xué)技術(shù)二等獎(jiǎng)1次(2013年)。博士學(xué)位論文獲全國優(yōu)秀博士學(xué)位論文提名獎(jiǎng)(2009年)，獲國家自然科學(xué)優(yōu)秀青年基金，獲浙江省杰出青年基金，獲臺(tái)達(dá)科教基金會(huì)的中達(dá)青年學(xué)者獎(jiǎng)，中國電源學(xué)會(huì)青年獎(jiǎng)。自2016年起擔(dān)任IEEE Trans. Power Electron.的副主編(Associate Editor)和中國電源學(xué)會(huì)英文會(huì)刊副主編(Associate Editor）。

陳  媛

工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員

陳媛，博士，高級(jí)工程師，工信部“優(yōu)秀中青年”，“全國五一巾幗標(biāo)兵崗”、“巾幗文明崗”、“廣東省五一勞動(dòng)獎(jiǎng)狀”核心成員。獲省部科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)3項(xiàng)，發(fā)表SCI/EI論文40余篇，申請(qǐng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)登記20余項(xiàng)，參與出版專著、譯著3本，編寫國標(biāo)、團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)6項(xiàng)。主持國家、省部級(jí)項(xiàng)目20余項(xiàng)，廣東省科技廳、省工信廳、市工信局等多個(gè)省部級(jí)專家?guī)鞂＜摇＜嫒沃猩酱髮W(xué)、華南理工大學(xué)、廣東工業(yè)大學(xué)、西安電子科技大學(xué)研究生校外導(dǎo)師。

樊嘉杰

復(fù)旦大學(xué)青年研究員

樊嘉杰，復(fù)旦大學(xué)青年研究員，香港理工大學(xué)和美國馬里蘭大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)博士，荷蘭代爾夫特理工大學(xué)博士后/CSC公派訪問學(xué)者/客座研究員。主要研究方向：第三代半導(dǎo)體封裝及可靠性。迄今共發(fā)表學(xué)術(shù)論文105篇（GS被引次數(shù)1109），其中第一作者（含共同一作）和通訊作者發(fā)表SCI期刊論文 30篇；申請(qǐng)/授權(quán)專利20余項(xiàng)；主持起草ISA國際標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng)、參與起草國家標(biāo)準(zhǔn)和CSA聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)多項(xiàng)。IEEE高級(jí)會(huì)員、IEEE-Access 期刊副主編、國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟項(xiàng)目主管/標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)成員、半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室業(yè)務(wù)部副總工、香港質(zhì)量協(xié)會(huì)(HKSQ)會(huì)員及注冊(cè)六西格瑪綠帶、福建省LED封裝技術(shù)及應(yīng)用研究企業(yè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、長期擔(dān)任微電子封裝及可靠性領(lǐng)域數(shù)十個(gè)外文SCI期刊審稿人（如，Microelectronic Reliability, Photonics Journal, Reliability Engineering & System Safety, Optical Express等），并多次獲SCI期刊杰出論文評(píng)審人。獲全國“第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年”稱號(hào)、入選江蘇省科協(xié) “青年科技人才托舉工程”、江蘇省第十五批“六大人才高峰”高層次人才等。

毛賽君

忱芯科技(上海)有限公司CEO

毛賽君，忱芯科技CEO。毛賽君博士，畢業(yè)于荷蘭代爾夫特理工大學(xué)，曾任GE 全球研發(fā)中心寬禁帶功率半導(dǎo)體器件封裝及應(yīng)用的技術(shù)帶頭人，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)多項(xiàng)世界首臺(tái)/套基于碳化硅電力電子裝置的產(chǎn)品，并將碳化硅功率半導(dǎo)體模塊應(yīng)用于航空航天、新能源發(fā)電、高端醫(yī)療、石油開采、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等重要領(lǐng)域。

曾  正

重慶大學(xué)電氣工程學(xué)院副教授

曾正，博士，重慶大學(xué)電氣工程學(xué)院副教授，碩士生、博士生導(dǎo)師。主持國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃子課題2項(xiàng)、國家自然科學(xué)基金1項(xiàng)、重慶市自然科學(xué)基金1項(xiàng)，已主持完成橫向和其他各類項(xiàng)目5項(xiàng)；已發(fā)表SCI/EI期刊論文80余篇，會(huì)議論文20余篇，入選ESI高被引論文1篇，入選“中國精品科技期刊頂尖論文(F5000)”1篇，被引1300余次，H影響因子18，H10影響因子40，申請(qǐng)發(fā)明專利14項(xiàng)（已授權(quán)6項(xiàng)，已轉(zhuǎn)讓1項(xiàng)）；博士論文獲評(píng)浙江大學(xué)2013-2014學(xué)年優(yōu)秀博士學(xué)位論文，曾獲GE基金會(huì)科技創(chuàng)新獎(jiǎng)。

化夢(mèng)媛

南方科技大學(xué)電子與電氣工程系助理教授

化夢(mèng)媛，2013年本科畢業(yè)于清華大學(xué)物理系，2017年博士畢業(yè)于香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程系，2018年至今為南方科技大學(xué)電子與電氣工程系助理教授。化夢(mèng)媛博士致力于寬禁帶半導(dǎo)體器件與IC研究，在高端制造工藝、測(cè)試表征技術(shù)、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠性等方面做出一系列原創(chuàng)性和系統(tǒng)性的工作。共發(fā)表國際高水平期刊與會(huì)議論文90余篇，引用超2000次。成果包括國際電子器件領(lǐng)域的頂級(jí)峰會(huì)IEEE IEDM論文7篇，電力電子領(lǐng)域旗艦會(huì)議IEEE ISPSD論文11篇，器件領(lǐng)域頂級(jí)期刊IEEE Electron Device Lett. 15篇，IEEE Trans. Electron Devices 8篇，為國際會(huì)議做邀請(qǐng)報(bào)告10余次，申請(qǐng)發(fā)明專利6項(xiàng)；成果多次選入熱點(diǎn)論文，被產(chǎn)業(yè)界權(quán)威雜志專題報(bào)道；獲2020年IEEE ICSICT杰出青年科技論文獎(jiǎng)；獲2017年IEEE ISPSD最佳青年學(xué)者獎(jiǎng)（年度唯一獲獎(jiǎng)人）；現(xiàn)任國際高水平期刊IEEE Trans. Electron Devices編輯。

溫馨提示：本場(chǎng)第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)免會(huì)議費(fèi)，交通、食宿自理。

更多論壇信息：

會(huì)議時(shí)間：2022年11月7日-10日

會(huì)議地點(diǎn)：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊(cè)權(quán)益收費(fèi)表

備注：＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。

＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會(huì)。

＊SSLCHINA相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會(huì)。

*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包括：柔性顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)高峰論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、功率模塊與電源應(yīng)用峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、智慧照明設(shè)計(jì)與應(yīng)用峰會(huì)。

＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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