近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會“上，武漢大學馮嘉仁分享了“高通量方法輔助篩選和預(yù)測半導(dǎo)體界面結(jié)構(gòu)——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例”的主題報告。

功率電子器件廣泛應(yīng)用于電能傳輸變換各個環(huán)節(jié)，在各大電能相關(guān)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。高性能功率電子器件可以降低電能傳輸變換過程中損耗，助力“雙碳”目標。氧化鎵是一種多變的半導(dǎo)體材料，它有六種不同的晶相，其中最穩(wěn)定的是β相。β相氧化鎵可以通過熔融法生長出大尺寸的單晶襯底，這對于制作高性能的功率器件非常有利，其研究備受關(guān)注，也面臨著β-Ga2O3材料界面建模等挑戰(zhàn)。

報告以β-Ga2O3 /AlN 界面為例，分享了高通量方法輔助篩選和預(yù)測半導(dǎo)體界面結(jié)構(gòu)的研究成果，涉及界面結(jié)構(gòu)預(yù)測、界面篩選、界面批量生成、界面穩(wěn)定性討論、能帶對齊等內(nèi)容。研究開發(fā)了半導(dǎo)體界面結(jié)構(gòu)高通量搜索軟件包（IPG），以Ga2O3 /AlN界面為例驗證軟件功能，從70862440個構(gòu)型中，搜索出若干晶面的界面結(jié)構(gòu)，電子結(jié)構(gòu)、能帶對齊分析與實驗值吻合，IPG軟件包具有普適性（金屬/半導(dǎo)體界面、介質(zhì)/半導(dǎo)體界面）， 為電子器件的高效設(shè)計提供了理論支撐，加速材料設(shè)計。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考！）