?材料的更替是現(xiàn)代科技進(jìn)步的根本推動力。作為第三代半導(dǎo)體材料，立方氮化硼（c-BN）具有僅次于金剛石的硬度，在高溫下良好的化學(xué)穩(wěn)定性、耐腐蝕、抗氧化、超寬帶隙、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、高擊穿場強(qiáng)、高飽和漂移速度和可發(fā)射及探測至深紫外的短波長光，可以通過摻雜得到n型或p型半導(dǎo)體材料等諸多特性，在大功率電子學(xué)、深紫外光電子學(xué)和量子通信等領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用前景。當(dāng)前六方氮化硼在第三代半導(dǎo)體中的具體應(yīng)用仍然處于研究和探索階段。未來，隨著對新型材料的深入理解和技術(shù)的不斷發(fā)展，六方氮化硼等材料可能會在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域中找到更多的應(yīng)用。

近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會“上，鄭州大學(xué)魯正乾分享了六方氮化硼的研究進(jìn)展。涉及表面形態(tài)和XRD、外延氮化硼與襯底之間的界面、晶體取向、Sp2結(jié)合驗(yàn)證等內(nèi)容。

研究顯示，藍(lán)寶石、AlN/藍(lán)寶石模板和金剛石襯底上生長的hBN，在不同襯底上生長的所有BN膜都觀察到褶皺圖案，生長的氮化硼薄膜可以看到Sixfold對稱性，表明形成了六邊形氮化硼。B（~190eV）和N（~401eV）的K邊上的π*和σ*能量損失。平面外延關(guān)系：[0001]h-BN ∥ [0001]sapphire and [10-10]h-BN ∥ [11-20]sapphire；[0001]h-BN ∥ [0001]AlN and [10-10]h-BN ∥ [11-20] AlN；[0001]hBN ∥[111]diamond and [10-10]hBN ∥ [11-2]diamond；

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考！）