?2024年8月8日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)2項(xiàng)SiC MOSFET測(cè)試方面的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)建議，詳細(xì)信息如下：

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秘書(shū)處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標(biāo)準(zhǔn)起草小組，請(qǐng)CASAS正式成員關(guān)注秘書(shū)處郵件（casas@casa-china.cn）。?

T/CASAS 050—202X 面向充電模組的SiC MOSFET動(dòng)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)方法基于動(dòng)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)（DHTOL），提出一種專門(mén)面向充電模組應(yīng)用場(chǎng)景的可靠性評(píng)價(jià)方法，主要考察SiC MOSFET在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)力下的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻變化，評(píng)價(jià)和保障SiC MOSFET在充電模組應(yīng)用環(huán)境下的效率和壽命。?

T/CASAS 051—202X SiC MOSFET穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命評(píng)價(jià)方法主要基于穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)，結(jié)合結(jié)溫監(jiān)測(cè)、熱阻測(cè)試、電參數(shù)測(cè)試等，形成一套適用于SiC MOSFET的穩(wěn)態(tài)工作壽命評(píng)價(jià)方法，為器件、模塊在各種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景下的實(shí)際工作壽命評(píng)價(jià)提供基礎(chǔ)性參考。

（來(lái)源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）?

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