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以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料正迎來廣闊的發(fā)展前景，成為全球的機會和關(guān)注焦點。碳化硅作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈

氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點。有望實現(xiàn)更高耐壓、更低損耗、

據(jù)悉，近日，媒體從量子計算芯片安徽省重點實驗室獲悉，我國科研團隊成功研制出第一代商業(yè)級半導體量子芯片電路載板，可最大可支

新科技時代背景下，人工智能、能源環(huán)保、自動駕駛等需求驅(qū)動下，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料迎來廣闊的發(fā)展前景

為培育和推動盤錦市第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新動能，盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會與中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟擬定于

近日，TCL華星宣布與日本半導體能源研究所( Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,SEL）簽署專利許可協(xié)議，獲得SEL在半導

8月2日，富樂德半導體產(chǎn)業(yè)項目傳感器子項目正式完成簽約。據(jù)悉，富樂德半導體產(chǎn)業(yè)項目總投資120億元，主要建設(shè)12英寸拋光片生產(chǎn)

近日，位于臨港新片區(qū)的積塔半導體特色工藝生產(chǎn)線建設(shè)項目迎來新進展，項目鋼結(jié)構(gòu)順利完成首吊，預計于9月底實現(xiàn)全面封頂。積塔

半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息：第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈

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8月7日日，華虹半導體有限公司（股票簡稱華虹公司，下文簡稱華虹半導體）正式在科創(chuàng)板上市，此次上市，華虹公司將公開發(fā)行40775

中國第三代半導體功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導體正式宣布完成新一輪戰(zhàn)略融資，投資方為東風汽車旗下直投平臺東風資管。

瑞森半導體進一步壯大和完善超結(jié)（SJ）MOSFET系列，推出600V超結(jié)功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型號。2枚新品各自具備核心

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近日，2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應用論壇于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導體領(lǐng)域的研究熱點。其中，氧

近日，2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應用論壇于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通

前不久商務(wù)部宣布對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制，未經(jīng)許可不得出口，從8月1日開始這個限制正式生效了。這兩種都是半導體行業(yè)中的

2023年7月26-28日，2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應用論壇于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指