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長江日報大武漢客戶端4月10日訊（記者李琴　通訊員張希為）正在中國光谷舉行的2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會上，九峰

全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓下線，將盡快實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)商用；破解太赫茲器件頻率瓶頸，產(chǎn)品性能達國際前沿水平一手牽科研

長江日報3月26日訊（記者 李琴 通訊員 張希為）激光飛旋，智能化生產(chǎn)線上，一片碳化硅晶圓完成了切割，崩邊尺寸在5微米以內(nèi)，達

SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）在其最新的《世界晶圓廠預(yù)測》報告中表示，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)月產(chǎn)能將在2023年增長5.5％，達到2960萬片

2011年，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)的幼苗經(jīng)歷十余年發(fā)展完成了晶圓尺寸從2英寸往4英寸迭代，國內(nèi)導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品和技術(shù)布局剛開始，產(chǎn)業(yè)基

全球半導(dǎo)體每月晶圓(WPM)產(chǎn)能在2023年增長5.5%至2960萬片后，預(yù)計2024年將增長6.4%，首次突破每月3000萬片大關(guān)(以200mm當量計算)。

搖櫓船科技消息稱:公司已成功研發(fā)出Micro LED晶圓檢測設(shè)備,可幫助顯示面板企業(yè)解決巨量芯片精準轉(zhuǎn)移難、壞點檢測難這兩大導(dǎo)致Micro LED 技術(shù)難以大規(guī)模商用的“痛點”。本月,該設(shè)備將在國內(nèi)某顯示面板企業(yè)生產(chǎn)線上進行應(yīng)用測試。

自8月首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線以來，九峰山實驗室持續(xù)攻克碳化硅工藝技術(shù)難關(guān)。近日，實驗室在碳化硅超結(jié)領(lǐng)域取得新進展：

近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所魏星研究員團隊在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進展，制備出了國內(nèi)第一片300 mm射頻（RF）

香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄 共同推動香港微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展10月13日 - 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進重點企

該項目總投資預(yù)計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等。

8月7日日，華虹半導(dǎo)體有限公司（股票簡稱華虹公司，下文簡稱華虹半導(dǎo)體）正式在科創(chuàng)板上市，此次上市，華虹公司將公開發(fā)行40775

據(jù)悉，近日，《科學(xué)通報》以《模塊化局域元素供應(yīng)技術(shù)批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物》為題，在線發(fā)表了松山湖材料實驗室/北

蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司邀您參加2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)論壇。2023年5月5-7日，2023碳化硅關(guān)鍵裝備、

2023年3月19日，九峰山實驗室工藝中心8寸中試線正式通線運行，首批晶圓(高精密光柵)成功下線。這也標志著實驗室8寸0.15m以上技術(shù)

近日，從順義科創(chuàng)集團獲悉，入駐企業(yè)北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國內(nèi)首批掌握第四代半導(dǎo)體4英

隨著 5G 和人工智能等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的不斷推進，單純通過縮小工藝尺寸、增加單芯片面積等方式帶來的系統(tǒng)功能和性能提升已難以

進入 21 世紀后，集成電路按照尺寸微縮的技術(shù)路線遭遇了物理節(jié)點失效、經(jīng)濟學(xué)定律失效，以及性能、功耗、面積 ( performance pow

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：據(jù)國外媒體報道，富士康方面預(yù)計，他們專注于汽車芯片和下一代半導(dǎo)體的晶圓廠，將在2023年投產(chǎn)。外媒是根據(jù)富

據(jù)悉，近日，中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室狄增峰研究團隊基于鍺基石墨烯襯底開發(fā)出晶圓級金屬電極陣列轉(zhuǎn)印技術(shù)，在二維材料與金屬電極的大面積無損范德華集成研究方面取得進展