科學技術部黨組成員、副部長相里斌在開幕致辭中表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體具有優異性能，在新能源汽車、信息通訊、智能電網等領域有巨大的市場。科技部一直高度重視第三代半導體的技術創新和產業發展，從“十五”期間開始給予了長期持續支持，建立了從材料、器件到應用的第三代半導體全產業鏈創新能力。下一步還將與各地方溝通協作，加強統籌謀劃和技術布局，加強人才培養，加強國際合作，推動產業鏈各環節有機銜接，強化以企業為主體、產學研用協同的創新生態。
在中關村論壇上，北京（國際）第三代半導體創新發展論壇舉辦，國聯萬眾二期、晶格領域二期、特思迪半導體二期、銘鎵半導體擴產項目等6個產業項目成功簽約，預計總投資近18億元。順義，一個在全國具有較強影響力的第三代半導體產業集聚區初見雛形。
在5月28日舉辦的2023中關村論壇平行論壇北京（國際）第三代半導體創新發展論壇上，北京市順義區面向全球推介第三代半導體產業發
與第一代半導體（如硅、鍺）和第二代半導體（如砷化鎵、銻化銦）材料相比，以氧化鋅（ZnO）、氮化鎵（GaN）、硫化鎘（CdS）、碳
歷時一年半，遵循第三代半導體產業技術創新戰略聯盟CASAS技術報告制定流程，經過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見等流程，技
5月19日，保定第三代半導體產業技術研究院（以下簡稱研究院）在保定市召開籌委會暨第一屆管理委員會第一次會議，會議的召開標志
2023年經濟復蘇力度逐月加快，消費增速回升，制造業投資、基礎設施投資均保持較高增速，經濟發展逐步向高端制造轉型，伴隨著在新
近日，2023中國（寧波）第四屆第三代半導體產業發展論壇在寧波國際會議中心舉行，本次論壇通過深入研討半導體技術應用發展趨勢，
自半導體誕生以來，半導體材料便不斷升級。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電
集微網報道 4月19日-21日，2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產業大會在武漢光谷舉行。在開幕式上，第三代半導體產業技術創
EDA貫穿集成電路（IC）產業設計、制造、封測等各個環節，在芯片產業中不可或缺，不同應用場景下器件結構性、設計流程、仿真驗證
2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇（CASICON 2023）尊敬的各有關單位：第三代半導體是實現雙碳目標、東數西
3月27日上午，市重點工程泰科天潤總部項目舉行開工奠基儀式。泰科天潤總部項目位于中關村順義園第三代半導體產業基地，規劃建筑面積4.6萬平米，主要用于總部基地建設。項目建成后，將有效帶動順義區第三代半導體產業發展。
3月15日，火炬工業集團與深圳愛科思達科技有限公司（下稱愛科思達）舉行智能電源設備研發制造基地項目簽約儀式。愛科思達公司成
提前布局、抓住先機，北京經開區搶占第三代半導體制高點
智能駕駛時代下第三代半導體材料的技術進步給電動車電驅電控系統和電源系統帶來的新的技術進展。
第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬
2月24日，2021年度湖南省科學技術獎勵大會召開。會議表彰了2021年度湖南省科學技術獎，共有授獎項目（團隊、人選）293項，其中杰
?第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）通過在全球范圍內集成和共享創新資源，構建以市場為牽引，研發、產業、資本深度融合
第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬