各參賽師生:為貫徹落實黨中央國務院關于促進中小企業發展、深化產教融合和創新驅動發展戰略的決策部署，落實工業和信息化部、教
得益于高功率、高頻率和高溫環境下的眾多卓越性能，氮化鎵功率電子器件技術在具有廣闊的發展前景。技術發展具有持續的創新和應用
隨著高性能、高功率、高頻率等需求的不斷擴展以及技術的不斷提升，超寬禁帶半導體呈現出越來越明顯的應用優勢，在多個領域都具有
第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開
Mini/Micro-LED技術已經在顯示技術領域取得了顯著的進展。大屏幕顯示、可穿戴設備和智能手機、汽車顯示系統、AR（增強現實）和VR
隨著汽車電子化水平的提高，車用半導體在現代汽車中扮演著日益重要的角色，涉及到車輛的控制系統、安全系統、信息娛樂系統等多個
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體具有諸多優勢，碳化硅電力電子器件優異的高效、高壓、高溫和高頻特性，使其在家用電器、電機節
隨著技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展，紫外LED的創新應用前景充滿潛力，消毒和滅菌、固態照明、紫外光固化、生命科學和醫學
各參賽師生:為貫徹落實黨中央國務院關于促進中小企業發展、深化產教融合和創新驅動發展戰略的決策部署，落實工業和信息化部、教
世界500強企業賀利氏（Heraeus）近日收購了SiC襯底供應商Zadient的多數股份。作為德國高科技材料企業，賀利氏認為SiC襯底市場具
期待已久的小米汽車終于來了，在最新一期工信部的申報信息中，我們看到了小米汽車首款車型的申報信息，從申報圖來看，新車設計風
第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開
第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開
半導體產業網獲悉：11月9日，廣東致能科技有限公司（以下簡稱致能科技）完成首個1200V D-Mode高可靠性氮化鎵平臺。在滿足1200V系
1月13日，工業和信息化部辦公廳 住房和城鄉建設部辦公廳 交通運輸部辦公廳 農業農村部辦公廳 國家能源局綜合司關于開展第四批智
半導體產業網 2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學家峰會上隆重發布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應用
11月9日消息，技術密集型的華為又帶來了全新的震撼新品，全新一代DriveONE 800V高壓碳化硅黃金動力平臺。其首發了行業內量產最高
2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門國際會議中心召開
隨著5G、碳中和、AI時代的來臨，芯片市場需求激增，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的化合物半導體市場
當前第三代半導體繼往開來進入新的發展階段，人工智能、數字信息時代將為產業發展帶來動態且多樣復雜的機遇和挑戰。新科技時代背