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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(山西)推進(jìn)會(huì)在太原第一實(shí)驗(yàn)室召開,山西省政府、太原市政府、長治市政

5月30日,財(cái)政部發(fā)布關(guān)于印發(fā)《財(cái)政支持做好碳達(dá)峰碳中和工作的意見》的通知,《意見》明確六大支持重點(diǎn)方向和領(lǐng)域,包括支持構(gòu)

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)光學(xué)與光學(xué)工程系王亮教授課題組設(shè)計(jì)并制備的InGaAs單光子探測器芯片取得重大進(jìn)展。該研究團(tuán)隊(duì)通過設(shè)計(jì)金屬分布

長江存儲(chǔ)的NAND flash已達(dá)到全球先進(jìn)水平,在技術(shù)和品質(zhì)方面都滿足了蘋果的要求,因此它已獲得了蘋果的供應(yīng)商資格。從2016年成立,到如今跟上全球先進(jìn)水平,僅僅花了不到6年時(shí)間,足以看出長江存儲(chǔ)發(fā)展之迅速。

近年來,二維層狀半導(dǎo)體由于其無懸掛鍵表面、原子級薄的結(jié)構(gòu)、豐富的激子類型和能谷特性以及強(qiáng)空間限制等優(yōu)異的化學(xué)和物理特性,

金博股份公告稱,公司于2022年5月27日與宇澤半導(dǎo)體(云南)有限公司簽署《戰(zhàn)略合作協(xié)議》。

據(jù)悉,近日,山西省副省長于英杰在太原第一實(shí)驗(yàn)室主持召開國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(山西)推進(jìn)會(huì)。

近日,清華大學(xué)電機(jī)系易陳誼課題組采用真空熱蒸發(fā)鍍膜與傳統(tǒng)溶液法相結(jié)合的工藝制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜,突破了目前無甲胺銫甲脒鉛

近日,中國科大微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇論文入選第34屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會(huì)議(ISPSD,全稱為:IEEE Internat

近日,氮化鎵芯片領(lǐng)先企業(yè)珠海鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)宣布完成近億元A+輪融資。

早前ASML還曾表示不擔(dān)憂中國光刻機(jī)企業(yè)的競爭,近日國產(chǎn)光刻機(jī)企業(yè)上海光刻機(jī)就獲得了4臺(tái)光刻機(jī)的訂單,顯示出國產(chǎn)光刻機(jī)正一步步獲得企業(yè)的認(rèn)可,打破ASML在光刻機(jī)行業(yè)的壟斷地位。

據(jù)悉,近日,中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室狄增峰研究團(tuán)隊(duì)基于鍺基石墨烯襯底開發(fā)出晶圓級金屬電極陣列轉(zhuǎn)印技術(shù),在二維材料與金屬電極的大面積無損范德華集成研究方面取得進(jìn)展

強(qiáng)芯沙龍,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略沙龍(碳化硅專場)即將開始!

據(jù)最新一期《自然·合成》報(bào)道,美國科羅拉多大學(xué)研究人員開展的一項(xiàng)研究,已成功合成出科學(xué)家們數(shù)十年來孜孜以求的一種新型碳——石墨炔。該成果填補(bǔ)了碳材料科學(xué)長期存在的空白,或?yàn)殡娮?、光學(xué)和半導(dǎo)體材料研究開辟全新的途徑。

據(jù)悉,近日,NO.浦口2022GY02掛牌成交,競得單位為江蘇長晶浦聯(lián)功率半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“長晶浦聯(lián)”)。

據(jù)悉,近日,寧淮智能制造產(chǎn)業(yè)園2022年首次集中簽約儀式在南京舉行。此次共有10個(gè)項(xiàng)目落戶園區(qū),其中包括矽邦集成電路封測基地項(xiàng)目。

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)光學(xué)與光學(xué)工程系王亮教授課題組設(shè)計(jì)并制備的InGaAs單光子探測器芯片取得重大進(jìn)展。該研究團(tuán)隊(duì)通過設(shè)計(jì)金屬分布

近日,江蘇省科技廳公示2022年江蘇省科技計(jì)劃專項(xiàng)資金(重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù))擬立項(xiàng)目,公示時(shí)間自2022年5月23日至5月30日。

近日,浙江宇芯集成電路有限公司(以下簡稱“宇芯集成電路”)6吋高可靠集成電路工藝線試流片暨開工儀式在金華環(huán)宇生產(chǎn)基地舉行。

以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體功率芯片和器件,以其高壓、高頻、高溫、高速的優(yōu)良特性,能夠大幅提升各類電力電子設(shè)備的

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