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匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心誠邀產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨 B27號展位參觀交流、洽談合作。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，聯(lián)華電子股份有限公司申請一項名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法的專利，公開號CN 118900619 A，申請日期為

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展將在蘇州國際博覽中心舉辦。“國創(chuàng)中心（蘇州）”誠摯邀請產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨B08-B09號展位參觀交流、洽談合作。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，南京南瑞半導(dǎo)體有限公司申請一項名為一種溝槽型SiC器件及其制備方法的專利，公開號CN 118888594 A，申

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司申請一項名為半導(dǎo)體器件的處理方法及半導(dǎo)體器件的專利，公開號CN 118888436

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司申請一項名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法的專利，公開號 CN 118888448 A，申請

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海漢虹精密機械有限公司申請一項名為一種單晶爐碳化硅爐專用的KF40電動蝶閥的專利，公開號 CN 118881

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，粵芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司申請一項名為一種光刻機對準(zhǔn)方法的專利，公開號CN 118838133 A，申請日期為

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，重慶芯聯(lián)微電子有限公司申請一項名為掩膜版圖形及其優(yōu)化方法的專利，公開號 CN 118838110 A，申請日期

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，長鑫存儲技術(shù)有限公司申請一項名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法的專利，公開號CN 118829192 A，申請日期為2023

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市聯(lián)微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司取得一項名為定位裝置的專利，授權(quán)公告號CN 221885077 U，申請日期為2024

作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室、高武半導(dǎo)體，小米通訊技術(shù)，匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、云塔電子，能訊高能半導(dǎo)體，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，九峰山實驗室，江南大學(xué)，中國科學(xué)院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，山東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司取得一項名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權(quán)公告號CN 2218

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，漢斯半導(dǎo)體（江蘇）有限公司取得一項名為一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置的專利，授權(quán)公告號 CN 221871

工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展改革委、財政部、國務(wù)院國資委、市場監(jiān)管總局、國家數(shù)據(jù)局等六部門近日聯(lián)合印發(fā)通知，部署開展2024年度

國家機關(guān)事務(wù)管理局、中共中央直屬機關(guān)事務(wù)管理局聯(lián)合印發(fā)了《關(guān)于做好中央和國家機關(guān)新能源汽車推廣使用工作的通知》

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項名為基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法及其相關(guān)產(chǎn)品的專利，公開號 C

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請一項名為光刻機焦距監(jiān)控方法、焦距監(jiān)控掩膜版及其形成方法的專

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司申請一項名為力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法的專利，公開號 CN 118817

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請一項名為接觸孔自對準(zhǔn)的MOSFET制造方法的專利，公開號 CN 11876299